红外光学薄膜：锗锭加工为锗蒸发料，用于制备红外光学薄膜（如增透膜、滤光膜），提升红外镜片的透过率与抗反射性能，适配高端光学系统需求。

医疗与生物领域：锗化合物（如有机锗）用于制备医疗敷料、保健品（需严格控制剂量），据称具有抗氧化、促进新陈代谢的作用，但应用范围较窄，市场规模有限。

主要用于制备超高纯（8N~9N）或大尺寸锗锭，适配半导体、核探测等高端需求，工艺细节如下：​

工艺核心原理：锗料垂直悬挂（通过籽晶固定于顶部，尾料置于底部），利用高频线圈或电子束加热形成垂直熔区，熔区从下至上移动，杂质向尾料富集，纯锗沿籽晶定向生长。​

关键技术要点：​

熔区稳定控制：通过电磁约束或表面张力维持熔区形态（宽度 1~2cm），避免倾斜或断裂；​

气氛保护：采用高纯度 H₂气氛（纯度≥99.9999%），抑制锗氧化并还原微量氧化物杂质；​

多道次优化：需 15~30 道次提纯，每道次后反向移动熔区，提升纯度均匀性。​

适用场景：用于 9N 级超高纯锗锭（核辐射探测器用）、大直径锗单晶前驱体，产量占比约 5%~8%，成本较水平区熔法高 30%~50%。

预处理提纯工艺：​

化学净化：混合酸（HF:HNO₃=3:1）腐蚀去除表面杂质，去离子水清洗后真空烘干（120~150℃，2~3 小时）；​

真空烧结：将锗粉压块后在 800~900℃真空环境下烧结，去除孔隙与吸附气体，提升原料致密度。