红外光学薄膜：锗锭加工为锗蒸发料，用于制备红外光学薄膜（如增透膜、滤光膜），提升红外镜片的透过率与抗反射性能，适配高端光学系统需求。

数据匹配性：半导体领域对锗锭的纯度要求（7N~9N），而这一纯度等级的锗锭几乎全部通过区熔工艺生产（真空熔炼、电解精炼锗锭纯度仅能达到 4N~6N，无法满足半导体高端需求），因此 “半导体与电子领域 18% 的全球占比” 可直接等同于区熔锗锭在该领域的应用占比。

工艺核心原理：利用杂质在锗的固 - 液两相中分配系数不同（多数杂质在液相中溶解度更高），通过移动窄熔区将杂质向尾料端偏析，纯锗在熔区前方定向结晶，经多道次提纯达到高纯度。

核心工艺特点：​

优势：设备成熟、产能大（单炉可生产 300~600mm 长锗锭）、纯度可控（6N~9N）、晶体完整性好；​

局限：对原料初始纯度要求较高（需 5N 以上粗锗），单炉生产周期长（8~20 道次，合计耗时 12~36 小时）。